更新時間：2021-09-27
砷化鎵（GaAs）晶體的化學(xué)穩(wěn)定性好，硬度高，抗惡劣環(huán)境能力*。它在2000nm-14000nm光譜范圍內(nèi)有很好的透過率，廣泛應(yīng)用于熱紅外成像系統(tǒng)，大功率CO2激光光學(xué)系統(tǒng)和FLIR系統(tǒng)，在現(xiàn)場環(huán)境很差，光學(xué)鏡頭和窗口需要反復(fù)擦拭的情況下，砷化鎵常被用來代替硒化鋅作為紅外鏡頭或窗口的材料。
砷化鎵（GaAs）晶體的化學(xué)穩(wěn)定性好，硬度高，抗惡劣環(huán)境能力*。它在2000nm-14000nm光譜范圍內(nèi)有很好的透過率，廣泛應(yīng)用于熱紅外成像系統(tǒng)，大功率CO2激光光學(xué)系統(tǒng)和FLIR系統(tǒng)，在現(xiàn)場環(huán)境很差，光學(xué)鏡頭和窗口需要反復(fù)擦拭的情況下，砷化鎵常被用來代替硒化鋅作為紅外鏡頭或窗口的材料。
折射率隨波長的變化
| 波長（nm） | 折射率（n） | 波長（nm） | 折射率（n） |
| 4000 | 3.31 | 14500 | 2.82 |
| 8000 | 3.34 | 15000 | 2.73 |
| 10000 | 3.13 | 17000 | 2.59 |
| 11000 | 3.04 | 19000 | 2.41 |
| 13000 | 2.97 | 21900 | 2.12 |
光學(xué)性質(zhì)
| 通過波長范圍 | 1000nm-14000nm |
| 吸收系數(shù)（1/cm） | 0.01@1500nm-11000nm |
| 熱光系數(shù) ，dn/dT（1/K） | 160-120*10^-6%@3000nm-12000nm |
理化性質(zhì)
| 密度（ g/cm3） | 5.32 |
| 熔點（℃） | 1238 |
| 熱膨脹系數(shù)（1/℃） | 5.7*10^-6@300K |
| 介電常數(shù) 靜態(tài)/高幀 | 12.85/10.88@300K |
| 體彈模量（GPa） | 101.32 |
| 剪切模量（GPa） | 55.66@298K |
| 熱導(dǎo)率（J/k.m.s） | 55@300K |
| 熱容量（J/g.k） | 0.32 |
| knoop硬度(kg/mm2) | 731 |
| 水溶性（g/l） | 1.7 |
| 楊氏模量(GPa) | 138.5@298K |
| 泊松比 | 0.31@293K |
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